Noticias y Nuevos Productos

Samsung comienza la producción masiva de memorias DDR3 4G

Samsung comienza la producción masiva de memorias DDR3 4G

Samsung anuncia la producción en masa de sus memorias DDR3 más avanzadas, basadas en una nueva tecnología de procesos de 20 nanómetros, y que darán lugar a una amplia gama de aplicaciones informáticas. El fabricante ha ido un paso más allá en el escalado de DRAM, utilizando la litografía de inmersión ArE actual, en sus nuevas memorias DRAM DDR3 de 4Gb y 20 nanómetros.

 

Con una memoria DRAM, donde cada celda cuenta con un condensador y un transistor conectados entre sí, el escalado es más difícil que con una memoria NAND Flash, en la que una celda solo necesita un transistor. Para continuar escalando el DRAM más avanzado, Samsung redefine su diseño y fabricación, con un patrón doble modificado y la deposición de capas atómicas.


Según explica la compañía en un comunicado, “su tecnología modificada de doble patrón crea un hito al permitir la producción de DDR de 20nm, utilizando equipamiento actual de litografía y estableciendo la tecnología core para la próxima generación de memorias RAM de próxima generación de 10 nanómetros. Samsung creó también capacitadores de celdas dieléctricas ultrafinas con una homogeneidad sin precedentes, lo que resulta en celdas con un mayor rendimiento".

Con la nueva memoria DRAM DDR3 de 20nm, también ha mejorado la productividad de fabricación, que es un 30 por ciento mayor que la anterior DDR de 25 nanómetros, y más del doble que las DDR de 30 nm.  Además, los nuevos módulos basados en DDR3 4G 20nm, pueden ahorrar hasta el 25 por ciento de energía consumida, por módulos equivalente fabricados utilizando la anterior tecnología de procesos de 25 nanómetros.

Información reciente

Easy Taxi ahora acepta pagos con tarjeta

La apuesta curva de LG

Dell y HP registraron resultados positivos en el mercado de monitores para PC

ESET lanza nueva plataforma de educación en seguridad informática

Nuevos estándares de comunicación para el 2018

Más…

 

Deja un comentario

Your email address will not be published. Required fields are marked *

You may use these HTML tags and attributes: <a href="" title=""> <abbr title=""> <acronym title=""> <b> <blockquote cite=""> <cite> <code> <del datetime=""> <em> <i> <q cite=""> <s> <strike> <strong>